1、如果元件或材料发生击穿,全部电压都会加到安培计的输入端,从而可能将其损坏。
2、提出了芯片门电路硅氧化层静电放电介质击穿的物理模型。
3、失谐系数较小时,可能在充电的初始时刻就发生变压器击穿。
4、在聚合物电老化击穿的陷阱理论中,介电强度与陷阱密度呈函数关系,这已在电老化试样上得到证实。
5、最后,模拟研究了“双沟道”mESFET结构,并根据模拟仿真的直流输出特性以及击穿特性,优化了“低沟道”层和“高沟道”层的结构参数。
6、利用衬底热空穴注入技术分别控制注入到薄栅氧化层中的热电子和空穴量,对相关击穿电荷进行了测试和研究。
7、真空开关在开断并联电容器组和高压电动机时可能产生重击穿过电压和多次重燃过电压,对设备绝缘造成严重威胁。
8、根据影响介质击穿的主要因素,着重阐述了交流击穿耐压装置的容量指标问题。
9、传统的击穿电压和击穿电流的气体检测方法建立在气体剧烈放电基础上,会对电极的纳米结构造成严重破坏。
10、60公斤飞机零件从天而降击穿厂棚。